美国芯片制造商 Onsemi 的首席执行官 Hassane El-Khoury 表示，由于需求强劲，它已经“售罄”碳化硅芯片 (SiC)，这种先进的功率半导体大多数都用在电动汽车，碳化硅芯片的短缺至少要持续到 2023 年底。

  “现在你无法改变 2023 年，”一家全球领先的汽车芯片制造商的老板说。“我们将在 2023 年每个季度、每个月增加产能，以满足我们的客户的真实需求。”

  汽车芯片生产商英飞凌的首席执行官 Jochen Hanebeck 最近在慕尼黑的一次活动中就供应发出了类似的警告。“我确实预计会出现相当长时间的短缺，”他说。

  据汽车行业数据预测公司AutoForecast Solutions测算，2023年全球或因缺芯减产300万辆汽车。对此，有业内专家这样认为，芯片新产能投产需要18至24个月的建厂周期以及产量爬坡的时间，从2020年底“缺芯”现象显现到现在还不到两年，意味着新增产能没有释放开来，叠加电动汽车的需求在增加，“缺芯”现象必然持续。

  汽车制造商也在为问题准备好。世界第四大汽车制造商 Stellantis 的首席执行官 Carlos Tavares 表示，明年芯片限制将继续困扰汽车行业。对汽车芯片的需求提振了安森美和英飞凌等制造商以及意法半导体、恩智浦半导体和安世半导体。

  英飞凌上个月将其对未来几年收入增长的预测从 9% 提高到 10% 以上，但没有给出具体的时间表。这家德国芯片制造商还宣布了其最大单笔投资 50 亿欧元，用于在德累斯顿建厂，生产用于汽车和别的行业的模拟、混合信号和功率半导体。

  El-Khoury 表示，Onsemi 正在扩大捷克共和国罗兹诺夫、韩国釜山和美国新罕布什尔州工厂的产量，该公司估计这些工厂明年的产能将增加 30%。“根据所谓的长期供应协议，我们有很多客户，我们正在增强首先支持这些客户的能力，”他补充说。对汽车芯片的需求主要受到燃料汽车更多连接功能和向电动汽车的转变的推动，随着内燃机逐渐被淘汰，这种趋势可能会进一步加速。

  Wolfspeed 是一家领先的碳化硅衬底材料供应商，曾生产碳化硅芯片，其首席执行官 Gregg Lowe 表示，从内燃机向电动汽车的转变是“不可阻挡的”。“我们预计到本十年末，功率半导体，特别是碳化硅功率半导体的复合年增长率可能达到 14%，这在某种程度上预示着我们所有人都将尽可能快地运行，努力赶上需求。”

  11月17日， Wolfspeed与提供创新可持续的车行方案的全球领先供应商博格华纳（宣布达成战略合作。博格华纳将向 Wolfspeed 今天早一点的时候发布的融资交易投资 5 亿美元，以获取碳化硅器件产能供应通道。基于 Wolfspeed 与博格华纳达成的多年协议，博格华纳将可根据其公司需求的增加，有权采购每年高达6.5亿美元的器件。

  博格华纳总裁兼首席执行官 Frédéric Lissalde 表示：“随着我们电动汽车业务的不断增速，碳化硅基功率电子对我们的用户正在发挥着日益重要的作用。我们始终相信通过这一个协议，将帮助确保博格华纳拥有高品质碳化硅器件的可靠供应。这对公司的逆变器增长计划具有重大意义。基于博格华纳出类拔萃的 Viper电源开关和逆变器技术，我们很高兴与碳化硅技术的引领者 Wolfspeed 在下一代碳化硅产品潜能开发方面开展合作。我们始终相信我们与 Wolfspeed 的合作将会推动创新，加速助力全世界汽车行业实现电气化转型，进一步推进博格华纳‘一个洁净、节能的世界’的愿景。”

  汽车芯片的乐观前景与该行业的别的部分形成鲜明对比，该行业为智能手机和个人电脑供应半导体。目前车企缺芯主要是缺车规电源管理芯片、车规MCU芯片、车规IGBT模块、碳化硅模块等。但是其他消费类需求走弱，晶圆厂产能稼动率逐步回落，使得汽车缺芯问题得到某些特定的程度缓解。目前部分领域的车规电源管理芯片供需已经改善，如车灯LED驱动、马达驱动等芯片，但一些关键领域的MCU和大功率IGBT模块和碳化硅模块供给还不是很顺畅。

  包括台积电 (TSMC)、英特尔三星在内的这些集团的需求下降。台积电是全球最大的合同芯片制造商，为苹果、谷歌和亚马逊等公司供货，今年已将其计划资本支出削减约 10%，至 360 亿美元。

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  衬底供应商产能现状 /

  （SiC）作为一种新型的半导体材料，以其优异的物理和化学性能，在功率电子器件领域展现出巨大的应用潜力。

  设计：创新引领电子技术的未来 /

  能够成为行业主流 /

  （SiC）是一种宽禁带半导体材料，具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率和高键合能等优点。由于这些优异的性能，

  特色工艺模块简介 /

  （SiC）是一种优良的宽禁带半导体材料，具有高击穿电场、高热导率、低介电常数等特点，因此在高温、高频、大功率应用领域具有非常明显优势。

  衬底有诸多缺陷无法直接加工，需要在其上经过外延工艺生长出特定单晶薄膜才能制作

  外延生长炉的差异 /

  的5大优势 /

  ，又称SiC，是一种由纯硅和纯碳组成的半导体基材。您可以将SiC与氮或磷掺杂以形成n型半导体，或将其与铍、硼、铝或镓掺杂以形成p型半导体。虽然

  器件介绍与仿真 /

  目前汽车业仍结构性缺芯，比如，电源类、控制类、通信类、计算类、功率类的

  中游器件制造环节，不少功率器件制造厂商在硅基制造流程基础上进行产线升级便可满足

  材料的特殊性质决定其器件制造中某些工艺需要依靠特定设备做特殊开发，以促使

  有哪些优劣势？ /

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